Die Arbeit beschäftigt sich mit der Problematik des sogenannten "Interface Engineerings" von Silizium-Grenzflächen. Dabei geht es um die Präparation der Grenz- und Oberflächen für die Abscheidung von Silizium und alternativen Materialien auf der Silizium-Oberfläche. Die Arbeit gliedert sich in vier Bereiche: 1.) Ein Überblick über auftretende Silizium-Grenzflächen und die Möglichkeiten der Analyse der Verunreinigungen und der Topografie. 2.) Die Reinigung von Silizium-Oberflächen zur Vorbereitung für die Abscheidung. 3.) Die Passivierung als spezielle Präparation für die Abscheidung von alternativen Materialien. 4.) Die Oberflächenphase als spezielle Passivierung. Es wird zunächst einmal auf den Begriff der Grenzfläche eingegangen. Es werden verschiedene Möglichkeiten aufgezeigt, wie Grenzflächen verändert werden können. Dieser Modifikationsprozess kann dabei zeitlich vor, während oder nach einem anderen Prozess stattfinden und gewollt oder ungewollt sein. Soll eine Grenzfläche untersucht werden, so bieten sich je nach Art der gewünschten Information unterschiedliche Analysemethoden an. Diese werden vorgestellt und dabei auf das Prinzip und das Ergebnis eingegangen. Außerdem werden die Grenzen der einzelnen Methoden aufgezeigt. Die erste entscheidende Modifikation der Grenzfläche ist ihre Reinigung. Vor allem in der Silizium-Nanotechnologie gewinnt die Reinigung und ihre Anpassung an die folgenden Prozesse eine immer größer werdende Bedeutung. Die ideale Ausgangslage für einen Prozess stellt dabei eigentlich die ursprüngliche Oberfläche der frisch produzierten Scheibe dar. Aufgrund von Lagerungs- und Transporteffekten wird mit einer nachträglichen Reinigung jeder Wafer auf den gleichen Oberflächen- und damit auf den gleichen Ausgangszustand gebracht, so dass die Reproduzierbarkeit des Prozesses gewährleistet ist. Ein zweiter Schwerpunkt der Dissertation ist die Erzeugung von alternativen Passivierungsschichten zum Schutz der Silizium-Oberfläche. Damit diese Oberflächenpassivierungen bei niedrigen Temperaturen erzeugt werden können, werden Verfahren zur Erzeugung reaktiver Reaktionsprodukte erläutert. Verschiedene Möglichkeiten zur Passivierung einer Oberfläche werden untersucht. Eine Möglichkeit der Passivierung ist die Bildung einer ultradünnen Silizium-Stickstoff-Schicht, die für eine Abgrenzung zweier Gebiete sorgt, ohne die elektrischen Eigenschaften nachteilig zu beeinflussen. Verschiedene Möglichkeiten zur Erzeugung einer solchen Schicht werden vorgestellt und ihre Auswirkung auf die oberflächennahen Bindungszustände untersucht. Außerdem wird eine Möglichkeit ihres Einsatzes im Zusammenhang mit neuen Materialien gezeigt. Eine besondere Art der Oberflächenpassivierung ist die Etablierung einer Oberflächenphase. Sie ist im Allgemeinen auf eine oder weniger als eine Monolage auf der Siliziumoberfläche beschränkt und hat eine übergeordnete Struktur. Ihre Erzeugung ist aber von der Oberflächenorientierung des Siliziums abhängig und nicht auf eine Oberfläche mit einer anderen Orientierung übertragbar.
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