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Document type:
Zeitschriftenartikel / Journal Article
Title:
Study of internal behavior in a vertical DMOS transistor under short high current stress by an interferometric mapping method
Journal:
Microelectronics Reliability
Volume:
43
Issue:
4
Year:
2003
Pages from - to:
545-548
Language:
Englisch
Department:
Fakultät für Elektrotechnik und Technische Informatik
Institute:
ETTI 1 - Institut für Physik, Elektrotechnik und Automatisierungstechnik
Chair:
Groos, Gerhard
Open Access yes or no?:
Nein / No
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