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Autor:
Dinh, Thanh Viet 
Originaltitel:
Full-Band Monte Carlo Simulations for Vertical Impact Ionization MOSFETs 
Jahr:
2010 
Typ:
Dissertation 
Einrichtung:
Universität der Bundeswehr München, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Jungemann, Christoph, Prof. Dr.-Ing. 
Gutachter:
Jungemann, Christoph, Prof. Dr.-Ing.; Kraus, Rainer, PD Dr.-Ing. habil. 
Format:
PDF 
Sprache:
Englisch 
Schlagworte:
MOS-FET ; Nanostruktur ; Stoßionisation ; Monte-Carlo-Simulation 
Stichworte:
Semiconductor 
Übersetzte Stichworte:
Halbleitertechnik 
DDC-Notation:
537 
Kurzfassung:
Impact ionization (II) has a strong influence on the characteristic of nanoscale transistors. In fact, when the transistors are down-scaled drastically, the electric field increases significantly, which leads to a strong effect of hot carriers in these devices. To understand these II activities, it is necessary to know the II rate of the applied material. Together with relaxed Si, uniaxially strained Si and biaxially strained SiGe are becoming popular applied materials to enhance the performance...    »
 
Tag der mündlichen Prüfung:
21.09.2010 
Eingestellt am:
22.10.2010 
Ort:
Neubiberg 
Stadt (Autor):
Binh Dinh, Vietnam 
Vorname (Autor):
Thanh Viet 
Nachname (Autor):
Dinh