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Autor:
Capodieci, Vanessa 
Originaltitel:
Molecular Beam Deposition (MBD) and Characterisation of High-k Material as Alternative Gate Oxides for MOS-Technology 
Jahr:
2005 
Typ:
Dissertation 
Einrichtung:
Universität der Bundeswehr München, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Eisele, Ignaz, Prof. Dr. rer. nat. 
Gutachter:
Eisele, Ignaz, Prof. Dr. rer. nat.; Baumgärtner, Hermann, Prof. Dr.-Ing. 
Format:
PDF 
Sprache:
Englisch 
Schlagworte:
Dielektrische Schicht ; Gate-Oxid ; Aluminiumoxide ; Praseodymoxide ; Lanthanoxid ; Molekularstrahlepitaxie 
Stichworte:
MOSFET, gate dielectric, High-k 
Kurzfassung:
Until now the forecast of the Semmiconductors Industry Association (SIA) concerning the dimension shrinking and the performance improvement of the electrical devices, reported in the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), matched very precisely the development of semiconductor process technology. But today the traditional scaling is indeed approaching the fundamental limits of the materials consituting the building blocks of the CMOS process. A big and unresolved challenge i...    »
 
Veröffentlichung:
Erschienen im Mensch & Buch Verl., Berlin (978-3-86664-067-2) 
Tag der mündlichen Prüfung:
25.11.2005 
Eingestellt am:
17.02.2009 
Ort:
Neubiberg 
Vorname (Autor):
Vanessa 
Nachname (Autor):
Capodieci