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Autor:
Deml, Christoph 
Originaltitel:
Analyse und Modellierung des DMOS-Transistors 
Jahr:
2008 
Typ:
Dissertation 
Einrichtung:
Universität der Bundeswehr München, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Hoffmann, Kurt, Prof. Dr. 
Gutachter:
Hoffmann, Kurt, Prof. Dr.; Eisele, Ignaz, Prof. Dr. rer. nat. 
Format:
PDF 
Sprache:
Deutsch 
Schlagworte:
Simulation ; Mathematisches Modell ; Elektrische Eigenschaft ; DMOS-FET 
Stichworte:
DMOS Miller-Effekt Gate-Widerstand Eingangskapazität Rückwirkungskapazität Modell Gate-Ladekurve Kapazitätsmessung 
Kurzfassung:
In dieser Arbeit wird der physikalische Aufbau, das elektrische Verhalten, die Modellierung und die meßtechnische Charakterisierung eines DMOS beschrieben. Die elektrischen Eigenschaften werden bezüglich des statischen und dynamischen Verhaltens im Zusammenhang mit den dabei intern vorherrschenden Zuständen analysiert. Dazu wird eine Einzelzelle mit dem Device-Simulator Medici und ein verteiltes System von vielen Zellen mit eigenen C-Programmen sowie der Methode der finiten Differenzen unte...    »
 
Veröffentlichung:
Zweite, durchgesehene Auflage 
Tag der mündlichen Prüfung:
05.11.2003 
Ort:
Neubiberg 
Stadt (Autor):
München 
Vorname (Autor):
Christoph 
Nachname (Autor):
Deml