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Autoren:
Uedono, Akira; Shojiki, Kanako; Uesugi, Kenjiro; Chichibu, Shigefusa F.; Ishibashi, Shoji; Dickmann, Marcel; Egger, Werner; Hugenschmidt, Christoph; Miyake, Hideto
Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article
Titel:
Annealing behaviors of vacancy-type defects in AlN deposited by radio-frequency sputtering and metalorganic vapor phase epitaxy studied using monoenergetic positron beams
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics
Jahrgang:
128
Heftnummer:
8
Jahr:
2020
Seiten von - bis:
085704
Sprache:
Englisch
Article-ID:
085704
DOI:
10.1063/5.0015225
URL zum Inhalt:
https://doi.org/10.1063/5.0015225
Fakultät:
Fakultät für Luft- und Raumfahrttechnik
Institut:
LRT 2 - Institut für Angewandte Physik und Messtechnik
Professur:
Dollinger, Günther
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