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Dokumenttyp:
Konferenzbeitrag / Conference Paper
Titel:
Modeling the Transient Behavior of MOS-Transistors during ESD and Disturbance Pulses in a System with a Generic Black Box Approach
Titel Konferenzpublikation:
2018 40th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD)
Konferenztitel:
Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (40., 2018, Reno, NV)
Tagungsort:
Reno, NV, USA
Jahr der Konferenz:
2018
Datum Beginn der Konferenz:
23.09.2018
Datum Ende der Konferenz:
28.09.2018
Verlagsort:
Piscataway, NJ
Verlag:
IEEE
Jahr:
2018
Seiten von - bis:
1-7
Sprache:
Englisch
ISBN:
978-1-5853-7302-4 ; 978-1-5386-7409-3
ISSN:
0739-5159
Fakultät:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik; Fakultät für Elektrotechnik und Technische Informatik
Institut:
EIT 4 - Institut für Mikroelektronik und Schaltungstechnik; ETTI 1 - Institut für Physik, Elektrotechnik und Automatisierungstechnik
Professur:
Sauter, Martin ; Maurer, Linus
Open Access ja oder nein?:
Nein / No
BibTeX