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Autoren:

Blaho, Matej; Pogany, Dionýz; Gornik, Erich; Denison, Marie; Groos, Gerhard; Stecher, Matthias

Dokumenttyp:

Zeitschriftenartikel / Journal Article

Titel:

Study of internal behavior in a vertical DMOS transistor under short high current stress by an interferometric mapping method

Zeitschrift:

Microelectronics Reliability

Jahrgang:

Heftnummer:

Jahr:

2003

Seiten von - bis:

545-548

Sprache:

Englisch

DOI:

10.1016/S0026-2714(03)00021-0

URL zum Inhalt:

https://doi.org/10.1016/S0026-2714(03)00021-0

Fakultät:

Fakultät für Elektrotechnik und Technische Informatik

Institut:

ETTI 1 - Institut für Physik, Elektrotechnik und Automatisierungstechnik

Professur:

Groos, Gerhard

Open Access ja oder nein?:

Nein / No

BibTeX

Vorkommen:

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