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Publikationen (Universitätsbibliografie)
Fakultäten (univ.)
Fakultät für Luft- und Raumfahrttechnik
LRT 2 - Institut für Angewandte Physik und Messtechnik
Barthe2001
Autoren:
Barthe, Marie-France; Britton, David T.; Corbel, Catherine; Hempel, A.; Henry, L.; Desgardin, P.; Bauer-Kugelmann, Werner; Kögel, Gottfried; Sperr, Peter; Triftshäuser, Werner
Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article
Titel:
Negatively charged vacancy defects in 6H-SiC after low-energy proton implantation and annealing
Zeitschrift:
Physica. B, Condensed matter
Heftnummer:
308-310
Jahr:
2001
Seiten von - bis:
668-670
Sprache:
Englisch
Abstract:
We have used pulsed-slow-positron-beam-based positron lifetime spectroscopy to investigate the nature of acceptors and charge states of vacancy-type defects in low-energy proton-implanted 6H-SiC(H). We can infer from the temperature dependence of the lifetime spectra that neutral and negatively charged vacancy clusters exist in the track region. Depending on annealing, they give rise to positron lifetimes of 257 ±2, 281 ±4 and 345 ±2 ps, respectively. The 281 ps cluster has likely an ionization level near the middle of the band gap. By comparison with theory, the 257 and 280 ps are identified as (VC-VSi)2 and (VC-VSi)3 clusters, respectively. In addition, other acceptors of ionic type act as strong trapping centers at low temperature (T < 150 K). Neutral monovacancy-like complexes are also detected with a lifetime of 160 ±2 after 900°C annealing. © 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
ISSN:
0921-4526
DOI:
10.1016/S0921-4526(01)00786-4
URL zum Inhalt:
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452601007864
Fakultät:
Fakultät für Luft- und Raumfahrttechnik
Institut:
LRT 2 - Institut für angewandte Physik und Messtechnik
Professur:
Dollinger, Günther
Open Access ja oder nein?:
Nein / No
BibTeX
Vorkommen:
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