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Authors:

Jadwiszczak, Jakub; Keane, Darragh; Maguire, Pierce; Cullen, Conor P.; Zhou, Yangbo; Song, Huading; Downing, Clive; Fox, Daniel; McEvoy, Niall; Zhu, Rui; Xu, Jun; Düsberg, Georg S.; Liao, Zhi-Min; Boland, John J.; Zhang, Hongzhou

Document type:

Zeitschriftenartikel / Journal Article

Title:

MoS₂ Memtransistors Fabricated by Localized Helium Ion Beam Irradiation

Journal:

ACS Nano

Volume:

Issue:

Year:

2019

Pages from - to:

14262-14273

Language:

Englisch

Keywords:

2D semiconductors ; defect engineering ; helium ion microscope ; memristors ; neuromorphic ; sulfur vacancies

DOI:

10.1021/acsnano.9b07421

URL:

https://doi.org/10.1021/acsnano.9b07421

Department:

Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

Institute:

EIT 2 - Institut für Physik

Chair:

Düsberg, Georg

Open Access yes or no?:

Nein / No

BibTeX

Occurrences:

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