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Autoren:
Blaho, Matej; Pogany, Dionýz; Gornik, Erich; Denison, Marie; Groos, Gerhard; Stecher, Matthias
Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article
Titel:
Study of internal behavior in a vertical DMOS transistor under short high current stress by an interferometric mapping method
Zeitschrift:
Microelectronics Reliability
Jahrgang:
43
Heftnummer:
4
Jahr:
2003
Seiten von - bis:
545-548
Sprache:
Englisch
DOI:
10.1016/S0026-2714(03)00021-0
URL zum Inhalt:
https://doi.org/10.1016/S0026-2714(03)00021-0
Fakultät:
Fakultät für Elektrotechnik und Technische Informatik
Institut:
ETTI 1 - Institut für Physik, Elektrotechnik und Automatisierungstechnik
Professur:
Groos, Gerhard
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