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Document type:
Zeitschriftenartikel / Journal Article
Title:
A Physics-Based Compact Model of SiC Power MOSFETs
Journal:
IEEE Transactions on Power Electronics
Volume:
31
Issue:
8
Year:
2016
Pages from - to:
5863-5870
Language:
Englisch
ISSN:
0885-8993
Department:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Institute:
EIT 4 - Institut für Mikroelektronik und Schaltungstechnik
Chair:
Jungemann, Christoph
Open Access yes or no?:
Nein / No
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