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Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article
Titel:
A Physics-Based Compact Model of SiC Power MOSFETs
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Power Electronics
Jahrgang:
31
Heftnummer:
8
Jahr:
2016
Seiten von - bis:
5863-5870
Sprache:
Englisch
ISSN:
0885-8993
URL zum Inhalt:
Fakultät:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Institut:
EIT 4 - Institut für Mikroelektronik und Schaltungstechnik
Professur:
Jungemann, Christoph
Open Access ja oder nein?:
Nein / No
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