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Dokumenttyp:
Konferenzbeitrag / Conference Paper
Titel:
Characterization of AlxGa1-xN films prepared by plasma-induced molecular-beam epitaxy on c-plane sapphire
Titel Sammlung:
Materials Research Society Symposium - Proceedings
Herausgeber Sammlung:
Abernathy, C. R.; Amano, H.; Zolper, J. C.
Reihentitel:
Symposium D – Gallium Nitride and Related Materials II
Bandnummer Reihe:
468
Konferenztitel:
Symposium D – Gallium Nitride and Related Materials (2., 1997, San Francisco)
Tagungsort:
San Francisco
Jahr der Konferenz:
1997
Datum Beginn der Konferenz:
01.04.1997
Datum Ende der Konferenz:
04.04.1997
Verlagsort:
Pittsburgh, PA, United States
Verlag:
Materials Research Society
Jahr:
1997
Seiten von - bis:
305-310
Sprache:
Englisch
Stichwörter:
Atomic force microscopy ; Composition ; Molecular beam epitaxy ; Nitrides ; Plasma applications ; Sapphire ; Substrates ; Thin films ; X ray diffraction analysis , Interplanar spacings ; Lattice constants , Semiconducting gallium compounds
Abstract:
AlxGa1-xN films were grown on c-plane sapphire by plasma induced modular beam epitaxy with 0 ≤ x ≤ 1. The composition and purity of the AlxGa1-xN layers was determined by elastic recoil deletion analysis with a relative error of 5
ISSN:
02729172
DOI:
Fakultät:
Fakultät für Luft- und Raumfahrttechnik
Institut:
LRT 2 - Institut für angewandte Physik und Messtechnik
Professur:
Dollinger, Günther
Open Access ja oder nein?:
Nein / No
BibTeX