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Autoren:
Helmut, Dennis; Wachutka, Gerhard K. M.; Groos, Gerhard
Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article
Titel:
Transient analysis of latent damage formation in SMD capacitors by Transmission Line Pulsing (TLP)
Zeitschrift:
Microelectronics Reliability
Heftnummer:
76–77
Jahr:
2017
Seiten von - bis:
97–101
Sprache:
Englisch
Stichwörter:
Latent defects ; Latent failure ; Defect generation ; Transient characterisation ; Transmission line pulsing ; TLP ; SMD capacitors ; Dielectric breakdown ; Electrical overstress ; EOS
DOI:
10.1016/j.microrel.2017.06.076
URL zum Inhalt:
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2017.06.076
Fakultät:
Fakultät für Elektrotechnik und Technische Informatik
Institut:
ETTI 1 - Institut für Physik, Elektrotechnik und Automatisierungstechnik
Professur:
Groos, Gerhard
Open Access ja oder nein?:
Nein / No
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Vorkommen:
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