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Autoren:
Schlosser, Martin; Bhuwalka, Krishna K.; Sauter, Martin; Zilbauer, Thomas; Sulima, Torsten; Eisele, Ignaz 
Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article 
Titel:
Fringing Induced Drain Current Improvement in the Tunnel Field Effect Transistor With High-k Gate Dielectrics 
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices 
Jahrgang:
56 
Heftnummer:
Jahr:
2009 
Seiten von - bis:
100-108 
Sprache:
Englisch 
ISSN:
0018-9383 ; 1557-9646 
Fakultät:
Fakultät für Elektrotechnik und Technische Informatik 
Institut:
ETTI 1 - Institut für Physik, Elektrotechnik und Automatisierungstechnik 
Professur:
Sauter, Martin 
Open Access ja oder nein?:
Nein / No