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Document type:
Zeitschriftenartikel / Journal Article
Title:
Fringing Induced Drain Current Improvement in the Tunnel Field Effect Transistor With High-k Gate Dielectrics
Journal:
IEEE Transactions on Electron Devices
Volume:
56
Issue:
1
Year:
2009
Pages from - to:
100-108
Language:
Englisch
ISSN:
0018-9383 ; 1557-9646
Department:
Fakultät für Elektrotechnik und Technische Informatik
Institute:
ETTI 1 - Institut für Physik, Elektrotechnik und Automatisierungstechnik
Chair:
Sauter, Martin
Open Access yes or no?:
Nein / No
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