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Dokumenttyp:
Konferenzbeitrag / Conference Paper
Titel:
Investigation of the internal behavior of a vertical DMOS transistor under short duration, high current stress by an optical thermal mapping method
Titel Konferenzpublikation:
Proceedings of the 6th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS), Prague 2002
Konferenztitel:
International Seminar on Power Semiconductors (6., 2002, Prag)
Tagungsort:
Prague, Czech Republic
Jahr der Konferenz:
2002
Datum Beginn der Konferenz:
02.09.2002
Datum Ende der Konferenz:
04.09.2002
Jahr:
2002
Seiten von - bis:
63-67
Sprache:
Englisch
Fakultät:
Fakultät für Elektrotechnik und Technische Informatik
Institut:
ETTI 1 - Institut für Physik, Elektrotechnik und Automatisierungstechnik
Professur:
Groos, Gerhard
Open Access ja oder nein?:
Nein / No
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