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Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article
Titel:
Vacancy-Type Defects and Their Carrier Trapping Properties in GaN Studied by Monoenergetic Positron Beams
Zeitschrift:
ECS Transactions
Jahrgang:
86
Heftnummer:
10
Jahr:
2018
Seiten von - bis:
149-160
Sprache:
Englisch
ISSN:
1938-6737
DOI:
Fakultät:
Fakultät für Luft- und Raumfahrttechnik
Institut:
LRT 2 - Institut für Angewandte Physik und Messtechnik
Professur:
Dollinger, Günther
Open Access ja oder nein?:
Nein / No
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