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Autoren:
Uedono, Akira; Tanaka, Taketoshi; Ito, Norikazu; Nakahara, Ken; Egger, Werner; Hugenschmidt, Christoph P.; Ishibashi, Shoji; Sumiya, Masatomo 
Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article 
Titel:
Vacancy-Type Defects and Their Carrier Trapping Properties in GaN Studied by Monoenergetic Positron Beams 
Zeitschrift:
ECS Transactions 
Jahrgang:
86 
Heftnummer:
10 
Jahr:
2018 
Seiten von - bis:
149-160 
Sprache:
Englisch 
ISSN:
1938-6737 
Fakultät:
Fakultät für Luft- und Raumfahrttechnik 
Institut:
LRT 2 - Institut für Angewandte Physik und Messtechnik 
Professur:
Dollinger, Günther 
Open Access ja oder nein?:
Nein / No